Что общего у армянской сказки и эволюции флэш-памяти в SSD

Когда-то в детстве у меня была книжка со сказкой Сергея Михалкова про жадного Вартана, который из одной овечьей шкуры выторговал себе 7 шапок. В индустрии флэш-памяти события развиваются словно по мотивам этой притчи.

С момента публикации статьи Как не заблудиться в SLC, MLC и TLC при выборе SSD прошло почти два года. Некоторые разделы не потеряли актуальности, но с тех пор технологи NAND шагнули вперед. И если быстродействие дисков устраивает пользователей, то ограниченный ресурс все еще продолжает волновать их умы. С одной стороны, мифы так просто не умирают, а с другой – в новых SSD ресурс флэш-памяти теоретически меньше, чем в старых.

Эта запись открывает серию больших материалов о сроке службы современных SSD. Вообще, я сначала планировал две статьи, но получается четыре (надеюсь, вы не против :) План примерно такой:

1. Как работает NAND, от чего зависит срок ее службы, почему он отличается у разных типов памяти, как с этим борются изготовители SSD (эта запись) , современные накопители с MLC 2D NAND, TLC 2D NAND и MLC & TLC 3D NAND (анализ предоставленных вами данных)

Эти статью могут перемежаться записями другой тематики, да и еще не все дописано :) Поехали?

Шаги техпроцесса, или зачем уменьшают размер кристалла

В начале 2013 года в большинстве дисков ведущих изготовителей стояла память 25nm MLC (Intel/Micron) и 24nm MLC (Toshiba/SanDisk), но почти за два года картина сильно изменилась. В современных накопителях сейчас стандартом является уже флэш-память 20nm и 19nm. Причем у Toshiba/SanDisk сейчас в ходу уже второе поколение памяти 19nm, а Micron может похвастаться дисками с 16nm MLC NAND.

Все завязано на прибыль, как и в любом бизнесе. Стоимость полупроводников пропорциональна размеру кристалла. Уменьшение его габаритов по осям X и Y позволяет производителям получать из одной вафли больше кристаллов, что снижает их стоимость.

Этапы техпроцесса NAND. Слева направо кристаллы: 2 х 34nm, 1 х 25nm, 1 х 20nm.

Альтернативно, можно добавлять больше транзисторов на каждый кристалл, что повышает его плотность при том же размере, т.е. дает больше Gbit на вафлю. В отличие от узла техпроцесса, плотность в технических характеристиках редко указывают, но в специализированных обзорах ее можно найти.

Увеличить рисунок Работники SK Hynix демонстрируют вафли флэш-памяти

Теоретически при сжатии кристалла расходы на производство снижаются (или увеличивается прибыль). Однако на практике каждый новый виток уменьшения литографии сокращает чистые доходы изготовителей по сравнению с предыдущим узлом техпроцесса. С одной стороны, возрастают расходы на исследования и производство памяти по новой технологии. С другой, остро встают вопросы целостности данных и срока жизни накопителя, потому что с уменьшением размера ячейки памяти становится все труднее бороться с законами физики.

Давайте немного залезем в технические подробности.

Как работает флэш-память

NAND хранит данные в массиве ячеек памяти, представляющих собой транзисторы с плавающим затвором. На картинке вы видите два затвора: управляющий (Control Gate) и плавающий (Floating Gate). Электроны перемещаются между управляющим затвором и каналом NAND (Channel) в направлении подачи напряжения.

Упрощенная схема работы флэш-памяти

Для программирования ячейки напряжение подается на управляющий затвор, что притягивает электроны вверх. Создается электрическое поле, позволяющее электронам проникнуть сквозь барьер из оксида к плавающему затвору. Оксид выполняет роль изолятора, не позволяя электронам двигаться дальше сквозь плавающий затвор.

Для стирания ячейки напряжение подается с другой стороны – на канал. При этом управляющий затвор заземляется, чтобы направить электроны от плавающего затвора через оксид обратно к каналу.

Суть работы флэш-памяти в том, что сначала нужно избавиться от старых электронов (стереть), и только потом можно применять новые (запрограммировать). Это и есть цикл перезаписи.

Чтобы определить статус ячейки, на нее подают напряжение и смотрят на результат. И продолжают повышать напряжение, пока не добьются нужного, на что уходит время, которое влияет на скорость работы.

Почему количество циклов перезаписи NAND ограничено

Со временем электрическая активность изнашивает физическую структуру ячейки, уменьшая микроскопический слой оксида. Его толщина <10nm, т.е. как минимум в 3000 раз тоньше человеческого волоса!

Кристаллы Micron 16nm MLC NAND

Поскольку слой оксида истончается, электроны могут в нем застревать, накапливая отрицательный заряд, играющий против поданного напряжения. Как следствие, приходится подавать более высокое напряжение, прежде чем найдется правильное. Это, в свою очередь, делает оксид еще тоньше.

Между тем, толщина слоя оксида неизбежно снижается с уменьшением размера кристалла при переходе на меньшие узлы техпроцесса (например, 25 → 20 → 16nm), что только усугубляет проблему выносливости NAND.

Таким образом, срок жизни каждой ячейки ограничен, а измеряется он количеством циклов перезаписи (Program/Erase Cycles, P/E).

Однако выносливость NAND зависит не только от геометрии кристалла, но еще и от количества битов, хранящихся в ячейке.

Почему SLC, MLC и TLC отличаются по выносливости

Сейчас станет понятно, почему я начал свой рассказ со сказки про жадного богача ;)

Представьте себе кристалл плотностью 16Gbit (гигабит) NAND, т.е. состоящий из примерно 16 млрд транзисторов. Из него получится 16Gbit SLC, поскольку в ячейке 1 бит. Но можно сделать 2 бита на ячейку и получить уже 32Gbit MLC. А если сделать в ячейке по 3 бита, выйдет аж 48Gbit TLC NAND!

Micron TLC NAND

48 — неудобное число. Заметьте, что 16 и 32 представляют собой 2 4 и 2 5 , но у двойки нет такой степени, чтобы получить число, кратное 3 [битам]. Поэтому TLC приходится подгонять под другие размеры из инженерных и маркетинговых соображений. Кристалл режут под 10.67Gbit, что при трех битах эквивалентно 32Gbit MLC NAND. Невелика беда, ведь по сравнению с MLC сэкономили 30% массива NAND!

И тут выясняется, что с шапками есть проблема – они очень маленькие!

Вы уже знаете, что программирование ячейки достигается изменением подаваемого на нее электрического напряжения. Я свел в таблицу типы памяти и допустимые состояния напряжений.

Тип NAND SLC MLC TLC Бит в ячейке 1 2 3 Число состояний 2 4 8 Состояния 0, 1 00, 01, 10, 11 000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, 111

SLC, с ее двумя состояниями, может выдерживать самые большие изменения в напряжении, прежде чем время стирания увеличится настолько, что контроллер отправит блок памяти в утиль по причине износа.

У TLC приходится делить такой же диапазон напряжения на восемь участков, поэтому у каждого состояния намного меньше свободы для маневра на повышение напряжения.

И это ключевой фактор, потому что всего несколько электронов могут определять разницу между запрограммированной и пустой ячейкой. Как следствие, этот тип памяти выдерживает самые маленькие изменения в напряжении.

Состояния напряжения разных типов NAND

Отсюда и вытекает разница между выносливостью SLC, MLC и TLC. Наибольшее количество циклов перезаписи (P/E) у SLC, затем идет MLC, а хуже всего дела обстоят у TLC. Кроме того, чем больше состояний напряжения приходится определять, тем выше вероятность ошибок, поэтому роль современных контроллеров в их коррекции (ECC) возрастает, хотя с этой задачей они успешно справляются.

Как повышают выносливость MLC и TLC

Проблема срока службы NAND весьма актуальна для любой памяти, выполненной по техпроцессу 1хnm. Однако кристаллы продолжают сжимать. Означает ли это, что раньше трава была зеленее (SLC), а теперь изготовители NAND подсовывают нам третьесортное сено (TLC)? Как вы увидите ниже, столько милая сердцу зеленая трава незаметно растет прямо под окном.

Это общее обозначение технологии, призванной снизить износ ячеек от подачи напряжения. Повторю, что в принципе контроллер играет в «угадайку» — подает напряжение → смотрит результат → повышает напряжение при необходимости.

С DSP контроллер отслеживает изменения вольтажа, чтобы сразу точно подавать напряжение для программирования или стирания ячейки

Это не решает всех проблем износа, но повышает срок жизни транзистора. Примером DSP может служить ARM/OR у Micron.

Основная идея кэша в том, чтобы использовать часть массива NAND в качестве памяти SLC, что повышает производительность и выносливость накопителя. У каждого изготовителя памяти свой подход к решению задачи, но на первом плане слаженное взаимодействие контроллера и флэш-памяти. Поэтому изготовители NAND, обладающие своими чипами или прошивками для Marvel, задают тон рынку своими дисками.

Технология впервые увидела свет в накопителе 840 EVO (19nm TLC NAND). Samsung выделяет небольшую часть каждого кристалла памяти в качестве буфера записи SLC. Записываемые данные сначала попадают в быстрый буфер TurboWrite, после чего пишутся в остальной массив TLC NAND.

Пока запись ведется в буфер, скорость последовательных трансферов сопоставима с MLC. Падение начинается при заполнении буфера, и нижняя часть каждого графика – это реальная скорость TLC NAND в накопителе, если бы не было кэша!

Увеличить рисунок Время и скорость последовательной записи 128KB с TurboWrite (тест AnandTech)

У накопителей меньшей емкости выигрыш в скорости от TurboWrite самый значительный, а на дисках большого размера падение не так сильно ощущается, в том числе и за счет более емкого буфера. Его размер зависит от резервной области, которая в свою очередь обусловлена объемом SSD – в дисках 120 и 250GB буфер составляет 3GB, а в терабайтном диске – 12GB.

Инженеры Samsung подбирали размер буфера, анализируя нагрузку на диск у «обычных пользователей». Как выяснилось, они в среднем пишут 1.17GB в час, причем у 90% фокус-группы записывалось менее 3GB в час.

На сброс данных из буфера в диске 250GB уходит всего 18.5 секунд, после чего он снова готов доставлять максимальную производительность.

Выносливость SLC значительно выше TLC, поэтому постоянная запись в буфер не критична для срока службы накопителя. У операций случайной записи мультипликатор WA может даже снижаться, потому что трансфер из буфера в TLC NAND всегда последовательный.

Производительность же не страдает до тех пор, пока данные пишутся в достаточно емкий буфер. В типичных домашних нагрузках накопитель мало отличается от собратьев на MLC NAND.

SanDisk применяет для продления срока службы TLC NAND свою технологию nCache 2.0 (до этого компания задействовала nCache 1.0 с той же целью в дисках с 19nm MLC NAND). Реализация примерно такая же, как и у Samsung TurboWrite. Все операции записи перехватываются в кэш псевдо-SLC, объем которого составляет 5GB на каждые 120GB емкости накопителя.

Схема работы nCache 2.0

Картина nCache 2.0 будто писана с TurboWrite – фактический объем буфера составил около 8GB для накопителя 240GB. Как и у Samsung, в каждом кристалле памяти SanDisk фиксированное число блоков, работающих в режиме SLC. Поэтому трансфер из SLC в TLC выполняется прямо в кристалле, т.е. быстрее, чем посредством интерфейса NAND и DRAM.

Увеличить рисунок Скорость последовательной записи 128KB с nCache 2.0 (тест AnandTech)

Технология SanDisk реализована на особом кристалле, разработку и изготовление которого может позволить себе только производитель флэш-памяти. Конкурентное преимущество дорогого стоит, поэтому будущие накопители ОЕМ-сборщиков на TLC от SanDisk могут и не обладать такой возможностью.

В сентябре 2014 года компания Micron выпустила накопитель M600 для изготовителей ПК с 16nm MLC NAND на борту. Динамическое ускорение записи работает в моделях объемом 128GB и 256GB, где преимущества технологии более ощутимы. В этом главное отличие M600 от очень похожего MX100 для конечных потребителей.

В отличие от конкурентов, использующих фиксированный набор блоков SLC, Micron изменяет тип памяти динамически (SLC → MLC) в зависимости от заполнения диска. Чем больше свободного места, тем больше памяти работает в режиме SLC.

Тест последовательной записи высвечивает три этапа – запись на максимальной скорости в SLC, затем на сниженной скорости в MLC, а самый медленный участок графика отражает перемещение данных из SLC в MLC одновременно с продолжающейся записью.

Увеличить рисунок Скорость последовательной записи 128KB с DWA (тест AnandTech)

Это синтетический тест с непрерывной записью на весь объем диска, но на практике мы не пишем на SSD по 128GB подряд. Поэтому за счет динамического кэша какая-то часть памяти всегда будет работать в режиме SLC, чтобы обеспечить высокое быстродействие.

Однако мораль в том, что для максимальной производительности забивать такой диск под завязку не стоит.

Любопытно, что точно такой же тест описан в документации Micron, а его результат полностью совпадает с картиной независимой лаборатории. В этом документе инженер компании также рассматривает вопрос мультипликатора WA.

Поскольку данные сначала пишутся в SLC, а потом переносятся в MLC, при худших раскладах объем записи удваивается. Это происходит в том случае, если до переноса данные не подвергались перезаписи или TRIM. Чтобы компенсировать негативный эффект, Micron применяет TRIM более агрессивно, нежели в дисках без DWA.

DWA здорово повышает выносливость — для M600 компания гарантирует объем записи 100TB по сравнению с 72TB для MX100.

Интересно, что кристаллы для этих дисков получают из одной и той же вафли, но перед упаковкой для M600 подвергают еще какой-то обработке, чтобы реализовать DWA. Заметьте, что такие трюки доступны только изготовителям памяти, а ОЕМ-сборщикам SSD достается что попроще.

Резюме

Давайте подведем промежуточный итог на основе информации из этой статьи:

• для сокращения расходов размер кристалла уменьшают по осям X и Y, а также увеличивают его плотность
• программирование ячеек памяти достигается подачей напряжения, что постепенно изнашивает их
• с уменьшением размера кристалла становится тоньше оксид, что негативно сказывается на сроке службы ячеек
• истончение оксида вынуждает контроллер подавать более высокое напряжение, чтобы запрограммировать ячейку
• типы памяти различаются по количеству битов в ячейке, и чем их больше, тем хуже выносливость и скорость
• TLC наименее вынослива, потому что 8 состояний напряжения сокращают пространство для его повышения по мере износа ячеек
• для повышения быстродействия и выносливости в дисках на TLC (и даже на MLC 1xnm) используется псевдо-кэш SLC

Так выглядит сводная таблица ключевых характеристик для типов флэш-памяти, рассмотренных в этой статье.

Сложность коррекции ошибок

Из нее хорошо видно, что основным мотивом движения индустрии флэш-памяти в сторону TLC является сокращение затрат на производство (без учета необходимых для этого инвестиций).

Согласно прогнозу Samsung, через три года 80% рынка будет составлять TLC NAND. Обратите внимание, что на диаграмме TLC обозначена как 3-bit MLC. Формально, так и есть, но все-таки просматривается маркетинговая хитрость. Я вернусь к этому моменту в следующей статье.

Глобальные поставки NAND по типам памяти. Источник: Samsung, 2013 год.

Дискуссия и опрос

В следующей серии вас ждет рассказ о лидерах рынка флэш-памяти с примерами их ведущих накопителей. Больше не будет плавающих затворов и диапазонов напряжения :) Я понимаю, что сегодняшний материал очень сложный технически (тем более, это не моя специализация). Но знание принципов работы NAND позволяет понять:

• что движет индустрией
• как продлевают срок службы SSD
• насколько они выносливы
• за что мы платим деньги

Более простая статья уже была, да и остальные вы читали. Я счел, что изрядная часть постоянной аудитории осилит рассказ, и постарался сделать его интересным. Но сомнения гложут ;)

Напишите в комментариях:

• беспокоит ли вас выносливость вашего текущего или планируемого к покупке SSD
• насколько сложен такой материал для вас, какие моменты он помог прояснить, что стало откровением

Список литературы (будет общий на всю серию)

Результаты голосования утеряны в связи с прекращением работы веб-сервиса опросов.

Об авторе

Вадим - владелец этого блога, и почти все записи здесь вышли из-под его пера. Подробности о блоге и авторе здесь. Поддержать автора вы можете тут.

Я в Telegram

Подпишитесь на канал и читайте интересные записи чаще! Есть вопросы? Задайте их в чате.

Меня не беспокоит выносливость моего текущего SSD, сколько проработает, столько и проработает. А если конкретно, у меня Plextor SSD 128GB M6S, вроде всем устраивает и какая там флеш-память я без понятия)

У Plextor вся линейка MLC.

Есть вопрос. Как понял, технически, ячейка SLC принципиально ничем не отличается от TLC. Различаются лишь методы управления, точнее — их точность. Следовательно, если цена хранения бита в SLC — $, то соответственно MLC — 1/2$ и TLC — 1/3$. Почему в таблице стоимость SLC $$$$$, а не $$$.

Не согласен с диаграммой от Самсунг. Предполагаю, что не все так радужно. При уменьшении размера ячейки надежность падает. При увеличении хранимых состояний надежность падает. При определенном техпроцессе, надежность TLC упадет до такого критичного уровня, что будет неприменима. Точнее, затраты на коррекцию ошибок превысят выигрыш от увеличения количества состояний. И перейдут назад на MLC, а в дальнейшем и на SLC. Вопрос только в том, при каком техпроцессе и насколько скоро это произойдет? И насколько экономия от нового техпроцесса будет перекрывать экономию от хранения множества состояний?

а самый медленный участок графика отражает перемещение данных из SLC в MLC

Скоро технологии управления, смогут наполовину устранить и этот перенос. Наверное. Зачем переносить, если SLC ячейку со значением 1 можно ассоциировать с MLC ячейкой 11? Напряжение то одно, просто трактуется по разному.

А вообще, Micron-овская технология понравилась больше всего. Просто, понятно и эффективно. Кстати, лишний раз подтверждает, что стоимость SLC не равна $$$$$.

Следовательно, если цена хранения бита в SLC — $, то соответственно MLC — 1/2$ и TLC — 1/3$. Почему в таблице стоимость SLC $$$$$, а не $$$.

Расклад по стоимости приблизительный. Да и почему вы думаете, что стоимость производства строго пропорциональна количеству битов в ячейке. Это ж не колбасу нарезать :)

При определенном техпроцессе, надежность TLC упадет до такого критичного уровня, что будет неприменима. Точнее, затраты на коррекцию ошибок превысят выигрыш от увеличения количества состояний. И перейдут назад на MLC, а в дальнейшем и на SLC.

Эти моменты я отложил до следующей статьи :) Но в ближайшие пару лет объемы TLC возрастут, так что тут все правильно. Сейчас Micron уже получает инженерные образцы 16nm TLC, и обещает диск следующим летом. У SanDisk уже есть диск, а Samsung должен рано или поздно обновить 840 EVO, которому уже больше года. Это лидеры, ОЕМы пойдут чуть позже.

Вопрос только в том, при каком техпроцессе и насколько скоро это произойдет?

Думаю, еще поборются, 16/15nm уже есть. И потом, ячейки необязательно симметричные. Например, первое поколение Toshiba 19nm было с размером ячейки 19nm*26nm, а второе — 19nm*19.5nm. Оба считаются 19nm, но размер ячейки сильно отличается.

Vadim Sterkin: почему вы думаете, что стоимость производства строго пропорциональна количеству битов в ячейке. Это ж не колбасу нарезать »

С уменьшением количества хранимых уровней напряжения, сложность хранения, а значит и стоимость ячейки падает. И уж 100% — что не растет. Т.е. даже в худшем случае цена бита в SLC и TLC различается не более 3 раз.

Vadim Sterkin: Думаю, еще поборются, 16/15nm уже есть. »

Несомненно поборются. Но не долго. Где-то читал, что линейный предел NAND-ячейки — 7-8нм. Cоответственно площадь, по сравнению с 20х20нм уменьшится в 8 раз. И все. Придется инженерам и ученым городить F(our)LC и O(ctet)LC.

Всё гораздо проще. Производить что-либо более надёжное (долговечное) — это крах для бизнеса (с точки зрения увеличения объемов производства и объёмов продаж). Windows XP была не такой уж и плохой системой, а все «выкрики» относительно её устаревания и несоответствия современным требованиям безопасности, по большому счёту, очередной маркетинговый ход… (Ну, нужно же было её как-то «спихнуть» с современного «рынка», дабы она не мешала продвигать другие товары: расширять сферу производства и потребления.) Так возникла вполне «сырая» Vista, затем 7-ка, а после пришла не менее «сырая» 8-ка. Большей частью стабильность в этих ОС стала наблюдаться лишь после выхода SP и весьма внушительного количества «заплаток». Однако не успела появиться на свет 8-ка, как на её смену пришла 8.1. Но на «пятки» этим ОС наступает уже 10-ка… Хотя 8-ка (пусть и с весьма внушительным количеством обновлений) весьма неплохая система. Но она «устарела», осуществлять её поддержку более 2-х лет нет смысла и вообще она получилась неудачной, потому что… так решили МАРКЕТОЛОГИ из «общества потребления»… И на смену 10-ки придёт 20-ка, которая будет также «супер-пупер-экстра-вещь», но долго она такой не будет… Также и с SSD: бОльший ресурс, лучшее качество = снижение объёмов производства и объёма продаж влечёт за собой весьма серьёзную проблему — снижение прибыли. А всё началось с элементарной лампочки (ведь были изобретены лампочки, которые способны проработать тысячи часов, но не одна из них не увидела свет — во всех смыслах этого слова…). Наоборот, было решено уменьшить ресурс лампочки, чтобы объёмы производства лишь увеличивались… Так «устаревает» всё, а что не устаревает — должно «сломаться»… И подобный маркетинговый ход уже давно не новость… Этому специально обучают маркетологов.

Притянутую за уши риторику об ОС комментировать не буду, но про SSD скажу. Сводить все к маркетологии может только человек, не замечающий очевидного — снижения цены на SSD и увеличения их гарантийного срока службы.

Дело не в ОС или SSD конкретно взятых. Дело в абсолютно всех вещах и специально «запланированном устаревании» вещей. Это не упрёк в адрес Майкрософт или производителей других вещей. Это, скорее, данность… (И не фирмы, как таковые, здесь виноваты; это скорее навязанная модель.) Я не против нового, но это самое «новое» в моём понимании должно быть не менее качественным, чем было прежнее. А про ОС хоть и притянуто за уши (понимаю, тема про SSD), но просто привёл отвлечённый и наиболее известный пример для широкого круга читателей. Ведь XP существовала много лет. За это время можно было выпустить вполне качественную ОС. Но людям за немалые деньги предлагают «сырой» (пусть и новый) продукт… Очень хочется верить, что 10-ка будет лучше, но верится с трудом… Что же касается SSD и их цены. Вещь может стоить дорого не потому, что она настолько дорогая… Здесь действуют весьма жёсткие законы рынка… Зачастую абсурдные для понимания обычным человеком. (Бывает, задаёшься вопросом: как вообще человечество могло до такого додуматься? Ведь есть более практичные решения. Но по законам рынка эти решения обречены на небытие… И удел этих решений, если они, всё же, будут реализованы – в лучшем случае – выставки… Просто напросто всё в итоге, тем не менее, привязано к получению прибыли.) (Я могу привести массу примеров с доказательствами, которые показывают нам то, что есть множество вещей, которые в техническом плане более удачны, нежели доступные потребителю, но их производство под «запретом», так как их производство просто развалит существующую модель мировой экономики.) Сами же SSD, невзирая на «гарантийный срок службы», тоже сдают позиции. http://www.tweaktown.com/blogs/Chris_Ramseyer/93/bait-and-switch-the-sad-state-of-ssds/index.html И это не единственные аспекты. (Просто углубляться не хочется…) Хотя сам и являюсь пользователем SSD, но прекрасно понимаю, что не всё там безупречно, так как совершенно безрассудные (зачастую несправедливые) законы рынка просто «пожирают» компании и разрабатываемые ими технологии.

Я ведь вам вполне толсто намекнул, что не надо продолжать оффтоп про ОС, но вы продолжаете гнуть свою линию. Тогда так.

Просто напросто всё в итоге, тем не менее, привязано к получению прибыли.)

Угу, с этого я и начал свой рассказ (только мне хватило четырех слов, а вам понадобилось 12 и две запятые). Но дальше я подкрепил свою мысль конкретными примерами из этапов развития технологии, а вы пришли с тезисом «все намного проще» и подкрепляете его бла-бла.

Это хороший пример ситуации, когда доказательство не имеет отношения к аргументу. Для не владеющих английским поясню, раз вы не удосужились. Компания выпускает SSD -> лаборатории публикуют обзоры с техническими характеристиками -> компания заменяет память или контроллер. Это называется вводить клиентов в заблуждение, а не сдавать позиции.

Кстати, пример с Kingston я бы не считал корректным (да и PNY отмазалась вполне легально). Спустя год, может измениться цена памяти и даже поставщик, поэтому переход на другой компонент вполне объясним. Главное, чтобы не было вранья в технических характеристиках, а обзоры имеют свойство устаревать. Наконец, покупка ОЕМ-диска чревата именно таким развитием событий.

Я могу привести массу примеров с доказательствами […] И это не единственные аспекты. (Просто углубляться не хочется…)

Лучше не надо, потому что лишняя вода не нужна.

Vadim Sterkin: Компания выпускает SSD -> лаборатории публикуют обзоры с техническими характеристиками -> компания заменяет память или контроллер. Это называется вводить клиентов в заблуждение, а не сдавать позиции. »

Ха. Плохой пример. Это и есть сдача позиций. Конечно, если ставится именно более дешевый и соответственно худший компонент. А уж «введение в заблуждение» — это следствие.

Vadim Sterkin: Спустя год, может измениться цена памяти и даже поставщик, поэтому переход на другой компонент вполне объясним. Главное, чтобы не было вранья в технических характеристиках, а обзоры имеют свойство устаревать. »

Часто натыкаюсь/лся на «производитель имеет право менять компоненты без ухудшения потребительских свойств». Замена допустима. Вполне. Только не «чтобы не было вранья в технических характеристиках», а «чтобы не было ухудшения потребительских свойств», что и проверяется в обзорах. Такие же, лучшие — без вопросов, но не хуже.

Часто натыкаюсь/лся на «производитель имеет право менять компоненты без ухудшения потребительских свойств». Замена допустима. Вполне. Только не «чтобы не было вранья в технических характеристиках», а «чтобы не было ухудшения потребительских свойств», что и проверяется в обзорах. Такие же, лучшие — без вопросов, но не хуже.

Компоненты диска должны соответствовать спецификациям на сайте изготовителя, а не обзору годичной давности. Вот PNY так и объяснила — у нас возможность замены прописана, вам дали SF вместо SM, он производительнее. Я не приветствую такую практику, но каждая компания сама решает, как ей развивать свой бизнес и строить отношения с клиентами, в т.ч. тестовыми лабораториями.

Кстати, ТТ не обновила обзор в связи с открывшимися обстоятельствами, а пост в блоге «не считается». Так что это еще вопрос, кто именно продолжает вводить людей в заблуждение. А сдача позиций — это метафора, не вижу смысла обсуждать без четкого определения. Если тем самым отдельная компания сдает позиции на рынке в сравнении с конкурентами, это ее проблема. Но в оригинале метафора относилась ко всем SSD.